外延片|Epitaxial Wafers
国际品牌、品质保障！
产品概述
英创力科技与国内外多家研究机构和商业公司合作，形成其独特、具有竞争力的多种材料外延服务的能力。特别是聚焦于大学、研究所、中小企业或者大型商业公司项目早期研发阶段的中、小批量外延片的需求。
我们的竞争优势在于具有工程或者技术难度的中、小批量外延生长与服务能力。广泛覆盖硅基外延、II-VI、III-V、IV等材料的外延，包括为客户提供需要基于先进制程的特殊外延工艺的定制服务。
英创力科技可以提供硅外延片、GaAs外延片、InP外延片、SiC 外延片以及其它各类定制化的外延片。
我们很乐意基于评估目的或者项目研究、研发供应少量的外延片，并期许采购量可以随着项目的发展而不断增长，从而在后期批量生产时提供大批量的质量稳定的产品。
我们的服务覆盖了常见的键合工艺、MOCVD、MBE、LPE、VPE等外延工艺能力，我们不仅可以提供标准外延片，还与客户保持密切合作，开展新的前沿性的试验项目，提供专业的协助帮助开发基于应用的特定工艺。
合作厂商
Working With Global Leading Brands
Epitaxy
外延
在单晶衬底表面或者图形化晶圆表面生长或者淀积一层或者多层的一种或者多种单晶薄膜。
实际上，这里的薄膜（film）并不能真实体现工艺发展实际情况，现在的外延层已经呈现很多厚度较厚的同质或者异质材料。
外延产品矩阵
外延的分类
同质外延
Homogeneous Epitaxy
同质外延就是在衬底上淀积一层或者数层跟衬底同样材料的外延层的工艺。Homoepitaxy is a process in which a film is grown with the same material as the substrate.
异质外延
Heterogeneous Epitaxy
异质外延就是在衬底上淀积一层或者数层与衬底不同材料的薄膜的工艺。Heteroepitaxy is a film that is grown on a substrate, which has a different material than the substrate.
主要产品与应用
Products & Application
硅外延片
可以定制厚度从数百nm到几百μm的单层或者多层硅外延片
>> 功率器件
>> ASIC
>> 高性能处理器
GaAs|InP外延片
兼具MBE和MOCVD工艺，可以定制PHEMT、HEMT结构外延片
>> 射频
>> VCSEL
>> HCSEL
>> APD
>> LD激光器
SiC外延片
与国际多家商业机构和研究机构合作，能提供复杂结构的各种同质或异质SiC的外延
>> 肖特基二极管
>> SBD
>> 射频器件
>> 传感器
GaN外延片
可以定制厚度从数百nm到几百μm的单层或者多层硅外延片
>> 高速集成电路
>> 高温集成电路
>> 低功耗集成电路
>> 低压集成电路
硅外延片
可以定制厚度从数百nm到几百μm的单层或者多层硅外延片
>> 功率器件
>> ASIC
>> 高性能处理器
GaAs外延片
可以定制厚度从数百nm到几百μm的单层或者多层硅外延片
>> GaAs外延片
>> InP外延片
>> 低功耗集成电路
>> 低压集成电路
InP外延片
可以定制厚度从数百nm到几百μm的单层或者多层硅外延片
>> 高速集成电路
>> 高温集成电路
>> 低功耗集成电路
>> 低压集成电路
GaN外延片
可以定制厚度从数百nm到几百μm的单层或者多层硅外延片
>> 高速集成电路
>> 高温集成电路
>> 低功耗集成电路
>> 低压集成电路
我们的优势
- 广泛的国际化货源渠道
- 灵活的订货数量
- 深入的增值服务:底硅减薄、抛光、SOI硅片Down-sizing。
应用领域
>> 高速集成电路
>> 高温集成电路
>> 低功耗集成电路
>> 低压集成电路
>> 微波器件
>> 功率器件
>> MEMS
外延的方法
外延的方法
键合工艺
Bonding Process
>> 高速集成电路
>> 高温集成电路
>> 低功耗集成电路
>> 低压集成电路
分子束外延
MBE(Molecular Beam Epitaxy)
分子束外延(Molecular Beam Epitaxy)是一种薄膜沉积方法，能在衬底上一次沉积原子层级的外延层。分子束外延既可以沉积同质外延层，也可以沉积异质外延层，该外延工艺在非常薄的薄膜应用中非常受欢迎。
该工艺首先将衬底片置于超高真空条件下，然后将其加热至500°C–600°C（对于硅衬底）和900°C–1100°C（对于砷化镓（GaAs）衬底）。装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的目标单晶衬底上，一次只能喷射出一个分子或原子，这样分子或原子就能按按序一层层地排列，“长”在衬底上形成薄膜。
金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)
Metal-organic Chemical Vapor Deposition
MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。
液相外延
LPE(Liquid Phase Epitaxy)
液相外延技术(Liquid Phase Epitaxy,简称LPE)，在化合物半导体器件制造中很常见。这种方法通常用于沉积异质外延薄膜，以确保衬底和外延薄膜具有相似的热膨胀系数以避免外延膜的损坏。
LPE技术于1963年由Nelson等人提出,其原理是:以低熔点的金属(如Ga、In等)为溶剂,以待生长材料(如Ga、As、Al等)和掺杂剂(如Zn、Te、Sn等)为溶质,使溶质在溶剂中呈饱和或过饱和状态。通过降温冷却使石墨舟中的溶质从溶剂中析出,在单晶衬底上定向生长一层晶体结构和晶格常数与单晶衬底足够相似的晶体材料,使晶体结构得以延续,实现晶体的外延生长。这种技术可以生长Si、GaAs、GaAlAs、GaP等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层,用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等。
气相外延
VPE(Vapour Phase Epitaxy)
>> 高速集成电路
>> 高温集成电路
>> 低功耗集成电路
>> 低压集成电路
参考资料&扩展阅读
1. 外延含义
https://semiengineering.com/knowledge_centers/manufacturing/process/epitaxy/
2. 外延定义（百度百科）
https://baike.baidu.com/item/%E5%A4%96%E5%BB%B6/23222934?fr=aladdin
3. MOCVD外延
https://baike.baidu.com/item/MOCVD
4. 分子束外延MBE
https://baike.baidu.com/item/%E5%88%86%E5%AD%90%E6%9D%9F%E5%A4%96%E5%BB%B6
5. 液相外延LPE
https://baike.baidu.com/item/%E6%B6%B2%E7%9B%B8%E5%A4%96%E5%BB%B6/3346184?fr=aladdin
6. 气相外延VPE
https://baike.baidu.com/item/%E6%B0%94%E7%9B%B8%E5%A4%96%E5%BB%B6
Services
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硅基GaN外延片
GaN-on-Si
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