SOI硅片| 绝缘体上硅 | SOI Wafers

国际品牌、品质保障！

产品描述

英创力科技可以为客户提供多种规格、高质量的SOI硅片（Silicon On Insulator——绝缘体上硅），适用于客户包括MEMS，功率器件，压力传感器和CMOS集成电路制造的广泛应用。 SOI晶圆为高速和低功耗器件提供了良好的解决方案，被广泛认为是高压和RF器件的新解决方案。 SOI晶圆是一种类似三明治(Sandwitch)的夹层式结构，一共有三层；包括顶层（器件层），中间的埋氧层（为绝缘SiO2层）和底层的衬底（体硅）。 SOI晶圆采用SIMOX法和晶圆键合技术生产而成，从而可以实现更薄更精确的器件层，均匀的厚度均匀和缺陷密度低等目标。

英创力科技可提供直径为2″、3″、4″、5″、6″和8″的SOI晶圆，可选择的宽阔电阻率范围0.001~100,000 ohm-cm，从100nm(1000Å)~300um的宽范围器件层厚度可满足众多客户独特的SOI要求。

英创力科技强化广泛合作以满足客户即时所求的需求，与国际多家生产商与分销商建立了合作关系，搭建成全球最大的SOI晶圆现货供应网络，此外为满足科研及企业客户早期研发的需求，可以承接10pcs起的定制订单。

基于客户多元化的强劲需求，我们与原厂通力合作，可以为客户提供可定制的SOI晶圆：

》超厚SOI晶圆》腔体SOI Cavity SOI

》超薄SOI晶圆》双面SOI Double SOI(DSOI)

》超均匀度SOI晶圆》多层SOI Multiple SOI

》超平SOI晶圆》键合SOI Bonded SOI

合作品牌

Work With Global Leading Brands

规格表

项目		参数
Overall	Wafer Diameter 晶圆尺寸(mm)	50/75/100/125/150/200mm±25um
	Bow/Warp 翘曲度(<um)	<10um
	Particles 颗粒度(<ea)	0.3um<30ea
	Flats/Notch 定位边/定位槽	Flat or Notch
	Edge Exclusion 边缘去除(mm)	/
Device Layer 器件层	Device-layer Type/Dopant 器件层掺杂类型	N-Type/P-Type B/ P/ Sb / As
	Device-layer Orientation 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Device-layer Thickness 器件层厚度(um)	0.1~300um
	Device-layer Resistivity 器件层电阻率(ohm•cm)	0.001~100,000 ohm-cm
	Device-layer Particles 器件层颗粒度(<ea)	<30ea@0.3
	Device Layer TTV 器件层TTV(<um)	<10um
	Device Layer Finish 器件层表面处理	Polished
BOX	Buried Thermal Oxide Thickness 埋氧层厚度(um)	50nm(500Å)~15um
Handle Layer 衬底	Handle Wafer Type/Dopant 衬底层类型	N-Type/P-Type B/ P/ Sb / As
	Handle Wafer Orientation 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Handle Wafer Resistivity 衬底电阻率(ohm•cm)	0.001~100,000 ohm-cm
	Handle Wafer Thickness 衬底厚度(um)	>100um
	Handle Wafer Finish 衬底表面处理	Polished

可根据客户要求，定制目标规格的SOI硅片。

我们的优势

广泛的国际化货源渠道
灵活的订货数量
深入的增值服务:底硅减薄、抛光、SOI硅片Down-sizing。

应用领域

>> 高速集成电路

>> 高温集成电路

>> 低功耗集成电路

>> 低压集成电路

>> 微波器件

>> 功率器件

>> MEMS

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