
区熔硅片|高阻硅片|FZ硅片|NTD硅片|FZ Silicon Wafers| NTD-doped Silicon Wafers
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产品概览
区熔硅片Float Zone Wafer是采用悬浮区熔法(Float Zone)长晶而成,亦称区熔晶圆、FZ晶圆,是一种高纯度的硅晶圆,可替代以CZ单晶直拉工艺而成的硅片。 与使用CZ直拉方法制造的晶圆相比,区熔法无需坩埚、生产过程负重小、不受熔点限制,因而区熔晶圆具有许多优点,使其成为太阳能组件、RF器件和精密功率器件等应用的理想选择。 FZ晶圆的氧和碳杂质浓度较低,需要特地添加氮来改善其机械强度。
规格表
FZ区熔硅片规格
NTD中子辐照硅片
FZ区熔硅片规格
项目 | 参数 | 询价示例 |
---|---|---|
Quantity: | 100pcs | |
Growth Method: | Float Zone | FZ |
Diameter: | 50/75/100/150/200/300mm | 100mm |
Type/Dopant: | P-Type / N-Type / Intrinsic | N-Type |
Orientation: | <1-0-0>/<1-1-0>/<1-1-1>或其它 | <100> |
Resistivity: | 100~30,000 ohm-cm | 3000 ohm-cm |
Thickness: | 275 um ~ 775 um | 500um |
Finish: | SSP/DSP | DSP |
Flats: | Notch/Two SEMI Standard Flats | Notch |
BOW/WARP: | <10 µm | <40um |
TTV: | <5 µm | <20um |
Grade: | Prime / Test / Dummy | Prime |
NTD中子辐照硅片
内容完善中!
我们的优势
- 广泛的国际化货源渠道
- 灵活的订货数量
- 深入的增值服务:减薄、外延、划片
典型应用
>> MOSFET
>> IGBT
>> 传感器
>> 探测器
知识库
TBC.
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